[发明专利]一种可有效避免碲镉汞红外探测器芯片边角裂纹的方法在审

专利信息
申请号: 202111664539.3 申请日: 2021-12-31
公开(公告)号: CN114300582A 公开(公告)日: 2022-04-08
发明(设计)人: 龚汉红;陈世锐;陈路;杜宇;毛剑宏 申请(专利权)人: 浙江珏芯微电子有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/0236
代理公司: 济南联合竟成知识产权代理事务所(普通合伙) 37371 代理人: 伦文知
地址: 323000 浙江省丽水市莲都*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明提供了一种可有效避免碲镉汞红外探测器芯片边角裂纹的方法,包括如下步骤:S1:对碲镉汞芯片的正面和/或背面进行接近式光刻,使碲镉汞芯片的正面和/或背面周边产生至少一圈边框图形,边框图形位于芯片有效成像区域的外周并与芯片有效成像区域之间留有间距;S2:将光刻后的碲镉汞芯片通过湿法腐蚀的工艺手段,使步骤S1中的边框图形转移至碲镉汞芯片的正面和/或背面,将碲镉汞芯片正面和/或背面中位于芯片有效成像区域周围的碲镉汞材料进行腐蚀并在边框图形位置形成凹槽;S3:凹槽腐蚀完毕,清洗后将碲镉汞芯片进行下一步芯片工序。该方法可使划片时崩边产生的裂纹隐患阻隔在碲镉汞芯片的芯片有效成像区域外,提升了碲镉汞芯片制备的合格率。
搜索关键词: 一种 有效 避免 碲镉汞 红外探测器 芯片 边角 裂纹 方法
【主权项】:
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