[发明专利]一种三维包覆硅基负极材料及其制备方法在审
| 申请号： | 202111666231.2 | 申请日： | 2021-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN114464784A | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | 唐唯佳;杨乐之;涂飞跃;陈涛;王力;封青阁;覃事彪 | 申请（专利权）人： | 长沙矿冶研究院有限责任公司 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/48;H01M4/485;H01M4/583;H01M4/62;H01M10/052;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 长沙朕扬知识产权代理事务所(普通合伙) 43213 | 代理人： | 段红玉 |
| 地址： | 410000 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 一种三维包覆硅基负极材料，负极材料以氧化亚硅为基质，氧化亚硅上依次包覆有硅酸锂包覆层和碳包覆层，碳包覆层外侧负载有碳颗粒和碳纳米管，碳纳米管从碳包覆层穿插出来，形成三维立体的包覆结构。制备方法，包括以下步骤：(1)将氧化亚硅原料还原；(2)将氧化亚硅与锂源混合，高温处理；(3)通过有机气体，气相沉积法处理，表面包覆碳层；(4)分别通入甲烷、乙烯、乙炔/乙烯混合气体进行反应，冷却过筛，得到三维包覆硅基负极材料。本申请进行三维立体包覆，硅酸锂包覆层增强了锂离子传导能力，碳包覆层增强了材料的电子导电性，协同抑制了硅基基质在脱/嵌锂时的体积膨胀，减少了首次充放电时的不可逆容量损失。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三维 包覆硅基 负极 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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