[发明专利]将半导体层用作浮置栅极并将体半导体衬底用作沟道区的非易失性存储器结构在审
| 申请号： | 202111667269.1 | 申请日： | 2021-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN114765181A | 公开（公告）日： | 2022-07-19 |
| 发明（设计）人： | T·梅尔德;S·丁克尔;R·里希特 | 申请（专利权）人： | 格芯（美国）集成电路科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11524 | 分类号： | H01L27/11524;H01L29/423;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 林莹莹;牛南辉 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种将半导体层用作浮置栅极并将体半导体衬底用作沟道区的非易失性存储器结构。一种非易失性存储器(NVM)结构包括第一存储器器件，该第一存储器器件包括：第一多晶硅层间电介质，其由体半导体衬底之上的绝缘体层上第一半导体层(SOI)堆叠之上的隔离层限定；由绝缘体层限定的第一隧穿绝缘体；由SOI堆叠的半导体层限定的第一浮置栅极；以及在源极区和漏极区之间的体半导体衬底中限定的第一沟道区。该存储器器件还包括位于SOI堆叠之上的控制栅极、位于体衬底中的源极区之上的擦除栅极、以及与体衬底中的漏极区耦接的位线接触。NVM结构还包括与第一存储器器件类似并且共用源极区的另一存储器器件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 用作 栅极 衬底 沟道 非易失性存储器 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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