[发明专利]一种激光切割硅晶片的方法在审
| 申请号： | 202111668297.5 | 申请日： | 2021-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN114083155A | 公开（公告）日： | 2022-02-25 |
| 发明（设计）人： | 蒋仕彬 | 申请（专利权）人： | 杭州银湖激光科技有限公司 |
| 主分类号： | B23K26/38 | 分类号： | B23K26/38;B23K26/402;B23K26/70 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 陶海锋 |
| 地址： | 311400 浙江省杭州市富阳区银*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种激光切割硅晶片的方法，其特征在于包括以下步骤：(1)提供一波长在2.0±0.2微米的光纤激光器，光纤激光器输出脉冲宽度不大于100纳秒的脉冲激光束；(2)将脉冲激光束透过待切割硅晶片聚焦至底面，自下而上移动聚焦点形成一个纵向裂纹；(3)移动聚焦点至切割轨迹的下一个位置；(4)重复步骤(2)和步骤(3)，直至形成切割包络；(5)裂片，完成对硅晶片的切割。本发明减小了热影响区，特别适合于对光伏电池使用的硅晶片的切割。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 激光 切割 晶片 方法 | ||
【主权项】：
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