[发明专利]半导体Cu制程设备零部件表面双层附着物的清洗方法在审
申请号: | 202111675165.5 | 申请日: | 2021-12-31 |
公开(公告)号: | CN114351154A | 公开(公告)日: | 2022-04-15 |
发明(设计)人: | 王阳阳;许义杰;杨科;陶近翁;陶岳雨 | 申请(专利权)人: | 卡贝尼新材料科技(上海)有限公司 |
主分类号: | C23G1/20 | 分类号: | C23G1/20;C23G1/19;C23G1/10;C23G1/08;C23F1/36;C23F1/38;C23F1/44;B08B3/04;B08B3/08;B08B3/12 |
代理公司: | 上海段和段律师事务所 31334 | 代理人: | 祁春倪 |
地址: | 200120 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供了一种半导体Cu制程设备零部件表面双层附着物的清洗方法,将待清洗部件放置于清洗容器中:加入比例为20%~30%的强碱,再加入比例为70%~80%的90~100℃的热水,溶液覆盖部件即可,热水与强碱形成高温碱液并与零部件表面第一层附作物反应,能有效将表面双层附着物与零部件脱离,浸泡10min~30min,使其充分反应至表面附着物完全去除,后用弱酸液浸泡3~5s,再用纯水清洗烘干。本发明的清洗方法,能有效快速去除部件表面的双层附着物,不损伤部件基材,提高部件的清洗效率,增加部件的使用寿命及使用效果,且方法简单,易于实施。 | ||
搜索关键词: | 半导体 cu 设备 零部件 表面 双层 附着物 清洗 方法 | ||
【主权项】:
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