[发明专利]VCSEL芯片的制备方法在审
| 申请号： | 202111677638.5 | 申请日： | 2021-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN114361943A | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 郭铭浩;周圣凯;赖威庭;王立;李念宜 | 申请（专利权）人： | 浙江睿熙科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;C30B33/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 刘娜 |
| 地址： | 311113 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种VCSEL芯片的制备方法。VCSEL芯片的制备方法包括：步骤S10：获取VCSEL芯片的预设氧化图形；步骤S20：获取VCSEL芯片的限制层的不同方向的氧化速率；步骤S30：根据预设氧化图形和VCSEL芯片的不同方向的氧化速率确定各个氧化开孔的大小和位置；步骤S40：在预设时间内，在限制层上氧化出氧化图形。本发明解决了现有VCSEL技术中形成偏振的设计较难的问题。 | ||
| 搜索关键词： | vcsel 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
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