[发明专利]LDMOS开关器件及其制作方法在审
| 申请号： | 202111679957.X | 申请日： | 2021-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN114334660A | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 李荣伟 | 申请（专利权）人： | 苏州华太电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 王晓玲 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供了LDMOS开关器件及其制作方法。该制作方法，包括以下步骤：在半绝缘SiC基底的第一表面形成栅氧化层和栅极，栅极位于栅氧化层远离第一表面的一侧；在半绝缘SiC基底中形成漂移区，并在栅极两侧的半绝缘SiC基底中形成源/漏区，以使源/漏区中的漏区位于漂移区中。本申请的上述方法在半绝缘SiC半绝缘衬底上直接制作RF LDMOS开关器件，可以通过SiC氧化和离子注入实现沟道增强型RF LDMOSFET的工艺设计，该工艺充分发挥了SiC的高热导率属性，SiC高的键能使器件有更高的工作电压，能够在高温高压环境中仍然实现高输出功率和效率。 | ||
| 搜索关键词： | ldmos 开关 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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