[实用新型]一种晶硅电池片电注入工艺的双通道电注入式抗光衰炉有效
申请号: | 202120000370.0 | 申请日: | 2021-01-02 |
公开(公告)号: | CN214542261U | 公开(公告)日: | 2021-10-29 |
发明(设计)人: | 王泉龙;李琪;孙珠珠;周国栋 | 申请(专利权)人: | 江苏中宇光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 220000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种晶硅电池片电注入工艺的双通道电注入式抗光衰炉,其技术方案是:包括外壳,所述外壳底部内壁固定安装有两个水箱,所述外壳底部内壁固定安装有底板,所述底板位于两个水箱内侧,所述底板顶部设有抗光衰炉本体,所述外壳内部设有散热机构,所述散热机构包括电机,所述电机固定安装在外壳一侧,其中一个所述水箱一侧与外壳一侧开设有空腔一,本实用新型的有益效果是:转轴四转动可以带动风扇转动就可以将抗光衰炉本体产生的热量吹到外壳外部,还可以加快外壳内部的空气流速,就可以加快对抗光衰炉本体的散热效率,较少散热的时间,可以使抗光衰炉本体内部的温度不在上升,不会使抗光衰炉本体内部的晶硅电池片损坏。 | ||
搜索关键词: | 一种 电池 注入 工艺 双通道 式抗光衰炉 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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