[实用新型]一种晶硅电池片电注入工艺的双通道电注入式抗光衰炉有效

专利信息
申请号: 202120000370.0 申请日: 2021-01-02
公开(公告)号: CN214542261U 公开(公告)日: 2021-10-29
发明(设计)人: 王泉龙;李琪;孙珠珠;周国栋 申请(专利权)人: 江苏中宇光伏科技有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 220000 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型公开了一种晶硅电池片电注入工艺的双通道电注入式抗光衰炉,其技术方案是:包括外壳,所述外壳底部内壁固定安装有两个水箱,所述外壳底部内壁固定安装有底板,所述底板位于两个水箱内侧,所述底板顶部设有抗光衰炉本体,所述外壳内部设有散热机构,所述散热机构包括电机,所述电机固定安装在外壳一侧,其中一个所述水箱一侧与外壳一侧开设有空腔一,本实用新型的有益效果是:转轴四转动可以带动风扇转动就可以将抗光衰炉本体产生的热量吹到外壳外部,还可以加快外壳内部的空气流速,就可以加快对抗光衰炉本体的散热效率,较少散热的时间,可以使抗光衰炉本体内部的温度不在上升,不会使抗光衰炉本体内部的晶硅电池片损坏。
搜索关键词: 一种 电池 注入 工艺 双通道 式抗光衰炉
【主权项】:
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