[实用新型]一种晶圆片腐蚀装置有效
| 申请号： | 202120028264.3 | 申请日： | 2021-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN213905296U | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 刘姣龙;刘建伟;刘园;武卫;由佰玲;裴坤羽;孙晨光;王彦君;祝斌;常雪岩;杨春雪;谢艳;袁祥龙;张宏杰;刘秒;吕莹;徐荣清 | 申请（专利权）人： | 天津中环领先材料技术有限公司;中环领先半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/67 |
| 代理公司： | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人： | 栾志超 |
| 地址： | 300384 天津市滨海*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供一种晶圆片腐蚀装置，包括：设有药液的槽体；和用于承载晶圆片的调整机构；所述调整机构沿所述槽体长度方向并贯穿所述槽体设置；所述调整机构可控制所述晶圆片原地同心旋转以调整所述晶圆片上V型槽的朝向位置，从而控制所述晶圆片进入所述槽体内和被提取时的状态，使先进入所述槽体中的所述晶圆片的部位被先取出。本实用新型结构设计合理，可精准控制晶圆片旋转并使所有晶圆片中的V型槽均同步同向移动，可降低晶圆片表面损伤层厚度偏差值并使偏差值从400‑500nm降低至150‑200nm，提高晶圆片表面平坦度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶圆片 腐蚀 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
