[实用新型]一种适用于PECVD设备制备氧化层工艺的气路传输系统有效
申请号: | 202120111015.0 | 申请日: | 2021-01-15 |
公开(公告)号: | CN214327882U | 公开(公告)日: | 2021-10-01 |
发明(设计)人: | 王玉明;周玉龙;孙烨;张庶;李敦信;张欣;闫宝杰;李轶军;杨宝海 | 申请(专利权)人: | 营口金辰机械股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/50 | 分类号: | C23C16/50;C23C16/40;C23C16/455;C23C16/448 |
代理公司: | 沈阳亚泰专利商标代理有限公司 21107 | 代理人: | 周涛 |
地址: | 115000 辽宁省*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 一种适用于PECVD设备制备氧化层工艺的气路传输系统属于管式PECVD设备制备氧化层工艺设备技术领域。具体地说,本实用新型提供一种能在沉积基体上化学吸附并反应形成沉积膜,从而能制备出较薄且均匀性、一致性好的氧化层膜的适用于PECVD设备制备氧化层工艺的气路传输系统。本实用新型的特征在于:特气气路包括源管道、第一管道、第二管道、氮气管道和氧气管道。所述气源气路包括氮气气源、氧气气源和氩气气源。所述氮气气源通过特气气路的氮气管道与反应腔连接;所述氧气气源通过特气气路的氧气管道与反应腔连接;所述氩气气源通过特气气路的源管道与反应腔连接,反应腔末端为真空泵。 | ||
搜索关键词: | 一种 适用于 pecvd 设备 制备 氧化 工艺 传输 系统 | ||
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的