[实用新型]氮化镓半导体器件有效
| 申请号： | 202120156980.X | 申请日： | 2021-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN214705857U | 公开（公告）日： | 2021-11-12 |
| 发明（设计）人： | 欧阳爵;张礼杰;张啸;谢文元 | 申请（专利权）人： | 英诺赛科（珠海）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L23/31 |
| 代理公司： | 珠海智专专利商标代理有限公司 44262 | 代理人： | 薛飞飞;黄国豪 |
| 地址： | 519000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种氮化镓半导体器件，氮化镓半导体器件包括介质层，介质层上开设有双角度形貌沟槽，双角度形貌沟槽包括第一底壁和侧壁，第一底壁与侧壁之间通过斜面连接，第一底壁与侧壁之间的夹角为第一夹角，第一底壁与斜面之间的夹角为第二夹角，第一夹角为直角或钝角，第二夹角为钝角，第二夹角大于第一夹角。该氮化镓半导体器件能够降低沟槽底壁与侧壁连接处的应力，同时可避免蚀刻残渣去除不干净问题。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 半导体器件 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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