[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 202120157855.0 | 申请日： | 2021-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN213878087U | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 蔡佩庭 | 申请（专利权）人： | 福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;金淼 |
| 地址： | 362200 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供一种半导体器件，包括有源区和位于所述有源区上方的下电极阵列；其中，所述下电极阵列包括若干间隔设置的下电极；设置于所述下电极周围的支撑结构；覆盖所述第一介电层表面并延伸至所述有源区边缘的上电极；其中，所述上电极在所述下电极阵列侧壁于所述支撑结构位置处形成上电极凸起；位于所述上电极凸起远离所述下电极阵列的一侧并延伸至所述第二介电层内部的第一接触孔；其中，所述第一接触孔的侧壁与所述上电极凸起接触。通过在下电极阵列的一侧形成第一接触孔(电容器接触孔)，深度大大增加，工艺难度降低，且该接触孔的侧壁与所述上电极凸起接触，接触面积增大，使得接触电阻减小，器件性能得到提升。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于福建省晋华集成电路有限公司，未经福建省晋华集成电路有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202120157855.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于手机的声音放大装置
- 下一篇：一种车辆转移登记自助机
