[实用新型]一种双面散热半导体IGBT管有效
申请号: | 202120214287.3 | 申请日: | 2021-01-26 |
公开(公告)号: | CN214313602U | 公开(公告)日: | 2021-09-28 |
发明(设计)人: | 周炳;王啸;付国振;薛芳峰 | 申请(专利权)人: | 德兴市意发功率半导体有限公司 |
主分类号: | H01R13/02 | 分类号: | H01R13/02;H01R13/502;H01R13/40 |
代理公司: | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人: | 王丽 |
地址: | 334200 江*** | 国省代码: | 江西;36 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开一种双面散热半导体IGBT管,包括集电插针A、集电插针B、集电插针C和IGBT管主体,所述IGBT管主体的下端安装有集电插针A、集电插针B和集电插针C,所述集电插针A位于集电插针B的左侧,通过在该半导体IGBT管的三个集电插针顶端外部增加有一个新型的插针加固装置,该新型的插针加固装置在不影响到整个半导体IGBT管正常安装操作的基础上又能够对三个集电插针起到加固与防折断作用,三个集电插针顶端通过该新型的插针加固装置进行加固之后既不会影响到集电插针的正常弯折,又能够对集电插针的固定端起到加固作用,从而能够在安装该半导体IGBT管时可根据安装需求及时进行调整,且又不会损伤到整个半导体IGBT管。 | ||
搜索关键词: | 一种 双面 散热 半导体 igbt | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于德兴市意发功率半导体有限公司,未经德兴市意发功率半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202120214287.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种新型黑板擦
- 下一篇:一种基站连接件与综合杆