[实用新型]一种高密度半导体引线框架有效
| 申请号： | 202120233561.1 | 申请日： | 2021-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN213958949U | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | 杨春林;王勇 | 申请（专利权）人： | 江西亚中电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;F21V21/00;F21Y115/10 |
| 代理公司： | 南昌市赣昌知识产权代理事务所(普通合伙) 36140 | 代理人： | 靳昙昙 |
| 地址： | 330800 江西省宜*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种高密度半导体引线框架，包括底座、灯珠框架和镂空边框，所述镂空边框设于灯珠框架外围，其特征在于所述底座上设有上、下两个框架区，所述框架区设有13～16行40～50列呈阵列均布的灯珠框架，同一列两个相邻的灯珠框架中心距设为2.05～2.55mm，同一行两个相邻的灯珠框架中心距设为3.4～4.2mm。本实用新型通过缩短同列和同行两个相邻灯珠框架间距，达到采用传统半导体引线框架同样的尺寸内部能够设置安装1040～1600个灯珠框架，节省了大量成本，大大提高了生产效率；使用时两相邻灯珠之间的间距也就缩短了，提高了LED灯珠光效。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高密度 半导体 引线 框架 | ||
【主权项】：
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