[实用新型]一种双面加热的MOCVD设备有效
申请号: | 202120261598.5 | 申请日: | 2021-01-29 |
公开(公告)号: | CN215288960U | 公开(公告)日: | 2021-12-24 |
发明(设计)人: | 张新勇;刘浩飞;苑汇帛;杨绍林;苏小平;宋世金 | 申请(专利权)人: | 威科赛乐微电子股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/46 |
代理公司: | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人: | 张晨 |
地址: | 404040 重庆*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | 本实用新型涉及MOCVD设备技术领域,尤其涉及一种双面加热的MOCVD设备,包括供电系统、供气系统、水冷系统、反应腔、加热系统和尾气处理系统,反应腔包括腔壁、气体分配装置、托盘、隔离罩和旋转模块,气体分配装置设置在腔壁的顶部,托盘安装在旋转模块的顶部,尾气处理系统包括两个排气管路,两个排气管路分别设置在腔壁的底部两侧,隔离罩安装在加热系统与托盘外侧,加热系统包括背面加热模块和表面加热模块,背面加热模块安装在托盘的背面,表面加热模块安装在腔壁上,用来解决单面加热衬底时,衬底下表面的温度始终高于上表面,导致在外延过程中,衬底始终有一个翘曲,从而使衬底表面温度不均匀,并会引入应力影响外延晶体质量的问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 双面 加热 mocvd 设备 | ||
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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