[实用新型]一种用于碳化硅单晶生长的多晶原料有效
申请号: | 202120267484.1 | 申请日: | 2021-01-29 |
公开(公告)号: | CN215209697U | 公开(公告)日: | 2021-12-17 |
发明(设计)人: | 李留臣;周正星;徐建明 | 申请(专利权)人: | 延安星特亮科创有限公司 |
主分类号: | C30B29/36 | 分类号: | C30B29/36;C30B23/00 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 刘鑫 |
地址: | 716000 陕西省延*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种用于碳化硅单晶生长的多晶原料,包括由粉状多晶原料压制而成的块状本体、沿上下方向开设于块状本体中的管孔,管孔的上端贯穿块状本体的顶部。本实用新型一种用于碳化硅单晶生长的多晶原料,将粉状多晶原料压制成块状多晶原料,大幅提高了原料的致密度,在相同容积的坩埚中,装料量显著增加;通过在块状多晶原料中开设管孔,提高了原料的通透性,在晶体生长过程中,底层原料能够通过该管孔向上顺利升华,有利于大尺寸单晶的生长。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 碳化硅 生长 多晶 原料 | ||
【主权项】:
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