[实用新型]一种用于碳化硅单晶生长的多晶原料有效

专利信息
申请号: 202120267484.1 申请日: 2021-01-29
公开(公告)号: CN215209697U 公开(公告)日: 2021-12-17
发明(设计)人: 李留臣;周正星;徐建明 申请(专利权)人: 延安星特亮科创有限公司
主分类号: C30B29/36 分类号: C30B29/36;C30B23/00
代理公司: 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 代理人: 刘鑫
地址: 716000 陕西省延*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 实用新型公开了一种用于碳化硅单晶生长的多晶原料,包括由粉状多晶原料压制而成的块状本体、沿上下方向开设于块状本体中的管孔,管孔的上端贯穿块状本体的顶部。本实用新型一种用于碳化硅单晶生长的多晶原料,将粉状多晶原料压制成块状多晶原料,大幅提高了原料的致密度,在相同容积的坩埚中,装料量显著增加;通过在块状多晶原料中开设管孔,提高了原料的通透性,在晶体生长过程中,底层原料能够通过该管孔向上顺利升华,有利于大尺寸单晶的生长。
搜索关键词: 一种 用于 碳化硅 生长 多晶 原料
【主权项】:
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