[实用新型]一种β平面源有效

专利信息
申请号: 202120296157.9 申请日: 2021-02-01
公开(公告)号: CN214624459U 公开(公告)日: 2021-11-05
发明(设计)人: 刘明阳;高岩;王念;任春侠;王安达;付轲新;李翔 申请(专利权)人: 原子高科股份有限公司
主分类号: G21G4/04 分类号: G21G4/04;G21G4/06
代理公司: 北京市隆安律师事务所 11323 代理人: 权鲜枝;杨博涛
地址: 100089 北京市海淀*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 实用新型公开了一种β平面源,该β平面源包括:基材托片和封堵层;基材托片的至少部分表面经过氧化,形成有氧化膜区域,氧化膜区域填充有放射性材料;封堵层用于阻止放射性材料渗出,覆盖在基材托片的氧化膜区域表面。本申请的β平面源,在使用基材托片的氧化膜区域吸附填充有放射性材料的基础上,设置封堵层,覆盖在氧化膜区域之上,以此阻止放射性材料渗出,从而提高了β平面源的使用寿命和检测效果。
搜索关键词: 一种 平面
【主权项】:
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