[实用新型]一种晶体生长装置有效
| 申请号： | 202120299367.3 | 申请日： | 2021-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN214458434U | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 史艳磊;孙聂枫;王书杰;刘惠生;孙同年;付莉杰;赵红飞;李亚旗;邵会民;康永;张晓丹;张鑫;姜剑;王阳;李晓岚;薛静 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B15/20 |
| 代理公司： | 石家庄众志华清知识产权事务所(特殊普通合伙) 13123 | 代理人： | 聂旭中 |
| 地址： | 050000 河北*** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种晶体生长装置，涉及晶体制备领域，尤其涉及使用提拉法制备低应力、低缺陷晶体的装置。包括炉体，置于炉体底部的坩埚及加热保温系统，晶体提拉机构，石英观察窗，所述装置还包括可升降式加热罩机构，包括加热罩体、加热罩支撑部件、设置在加热罩体四周的加热丝、加热罩升降机构。采用本装置，可以降低晶体生长过程中、以及晶体提起后降温过程中晶体内的应力，降低缺陷，避免晶体开裂，同时保持熔体内的温度梯度，保证晶体生长过程稳定，从而保证晶体成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体生长 装置 | ||
【主权项】：
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