[实用新型]发光二极管有效
| 申请号： | 202120310944.4 | 申请日： | 2021-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN214477522U | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 白龙贤;姜志勳;金材宪;朴志焄 | 申请（专利权）人： | 首尔伟傲世有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/08 | 分类号： | H01L33/08;H01L33/24;H01L33/20 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 习瑞恒;全振永 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种发光二极管。根据一实施例的发光二极管包括：n型氮化物半导体层；V形坑生成层，位于所述n型氮化物半导体层的上部并具有V形坑；活性层，位于所述V形坑生成层上；以及p型氮化物半导体层，位于所述活性层上，其中，所述活性层包括阱层，所述阱层具有沿所述V形坑生成层的平坦的面形成的第一阱层部分以及在所述V形坑生成层的V形坑内形成的第二阱层部分，所述发光二极管在单芯片级别发出至少两个峰值波长的光。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 | ||
【主权项】：
暂无信息
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