[实用新型]一种基于金属基底的薄膜传感器的绝缘层结构有效

专利信息
申请号: 202120316002.7 申请日: 2021-02-04
公开(公告)号: CN214046208U 公开(公告)日: 2021-08-24
发明(设计)人: 曹建峰;毛羽宏 申请(专利权)人: 曹建峰
主分类号: H05K3/46 分类号: H05K3/46;H05K3/00;H05K3/26;H05K1/18
代理公司: 北京高航知识产权代理有限公司 11530 代理人: 李浩
地址: 234000 安徽省宿*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 实用新型公开了一种基于金属基底的薄膜传感器的绝缘层结构,包括金属基底层,设置在金属基底层上的粘接层,在粘接层上的设置第一绝缘层,在第一绝缘层上设置隔离层,在隔离层上设置第二绝缘层,在第二绝缘层上设置的传感器电路层。本实用新型能快速制作氧化铝绝缘层,借助原子层堆积工艺的台阶覆盖能力制备隔离层将氧化铝绝缘层中的针孔覆盖住,确保传感器电路层与金属基底之间不会出现短路;同时隔离层的厚度在10~500 nm,不会产生大量的时间和成本;本实用新型的结构简单,在不增加时间及成本的前提下,解决了基于金属基底的薄膜传感器在高温环境条件下使用时出现短路的难题。
搜索关键词: 一种 基于 金属 基底 薄膜 传感器 绝缘 结构
【主权项】:
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