[实用新型]具有改善金属污染功能的湿法刻蚀设备有效
| 申请号： | 202120411904.9 | 申请日： | 2021-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN214226880U | 公开（公告）日： | 2021-09-17 |
| 发明（设计）人： | 吴镐硕;朴灵绪 | 申请（专利权）人： | 苏州恩腾半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 215024 江苏省苏州市苏州工业园*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供了一种具有改善金属污染功能的湿法刻蚀设备，包括：腐蚀槽，其内部具有承载腐蚀液及待清洗件的空间；螯合剂供给单元，其包括螯合剂源；定量供给单元，其包括具有输入端和输出端的定量供给槽；所述输入端连接所述螯合剂供给单元，所述输出端连接所述腐蚀槽，所述定量供给槽将所述输入端流入的螯合剂从所述输出端处定量供给至所述腐蚀槽。本实用新型经改善的结构设计，提供螯合剂以去除碱溶液中的污染金属离子，通过定量供给单元确保对腐蚀槽定量供给螯合剂，大幅降低了腐蚀工艺对于碱溶液的高纯度要求，降低了生产成本，提升了产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 改善 金属 污染 功能 湿法 刻蚀 设备 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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