[实用新型]一种填孔装置及半导体器件有效
| 申请号： | 202120436634.7 | 申请日： | 2021-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN214542117U | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | 张春雷;蒋志超;罗兴安;张高升;桂铭阳;胡淼龙 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01J37/147 | 分类号： | H01J37/147;H01J37/32;H01L27/11582;H01L27/1157;H01L27/11556;H01L27/11524 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 高天华;张颖玲 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请实施例提供一种填孔装置及半导体器件，包括：容纳腔；与所述容纳腔顶部的等离子体喷头连接的等离子体发生器，用于产生等离子体，并通过所述等离子体喷头，向位于所述容纳腔底部的基台表面的堆叠样品喷射所述等离子体；其中，所述堆叠样品中包括至少一个孔洞；与所述容纳腔连接的直流偏置模块，用于产生直流偏置电场，并通过所述直流偏置电场调节所述等离子体在所述孔洞内的运动方向，以实现填充所述孔洞。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 装置 半导体器件 | ||
【主权项】：
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