[实用新型]发射尖端及热场发射电子源有效
| 申请号： | 202120464209.9 | 申请日： | 2021-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN214254337U | 公开（公告）日： | 2021-09-21 |
| 发明（设计）人： | 郝占海;蔡素枝;陆梁 | 申请（专利权）人： | 大束科技（北京）有限责任公司 |
| 主分类号： | H01J37/063 | 分类号： | H01J37/063;H01J37/26 |
| 代理公司： | 北京细软智谷知识产权代理有限责任公司 11471 | 代理人： | 高淑凤 |
| 地址： | 102200 北京市昌平区回*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种发射尖端及热场发射电子源，涉及电子显微镜技术领域。发射尖端包括针本体和针尖，针本体的一端与针尖的一端相连接，针尖远离所述针本体的一端向前延伸形成双曲线形结构且逐渐缩小，双曲线形结构的头端向前延伸形成长直的圆柱体形结构，通过将针尖的前端延伸形成双曲线形结构，更加细长，改变了尖端基底的形状，其逐渐缩小的趋势叠加双曲线形结构的结构设计使得电场在尖端发生更强烈地弯曲，又在此基础上通过将双曲线形结构的头端向前延伸形成圆柱体形结构，保持了尖端半径不变，从而在尖端半径不变、外加吸出电压不变的情况下提高了尖端表面的电场强度，增大了发射电流、降低了外加吸出电压。 | ||
| 搜索关键词： | 发射 尖端 电子 | ||
【主权项】：
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