[实用新型]一种光控放大层叠封装结构以及可控硅芯片

摘要

本实用新型公开一种光控放大层叠封装结构以及可控硅芯片，其中，一种光控放大层叠封装结构，包括设于封装壳体内部的发光元件、微控制器以及功率半导体，发光元件设于微控制器的上方与微控制器相对设置，微控制器与功率半导体电连接。通过将微控制器以及发光元件相对设置，使得发光元件的光线能够直接传输到微控制器上，规避了现有技术中通过光反射形成光路以便微控制器接收信号的方式，使得微控制器能够更加灵敏、更加稳定的感受到发光元件的光线。同时将发光元件设于微控制器的上方与微控制器相对设置，最大限度的减小发光元件到微控制器的光路长度，能够使得微控制器的光感更加灵敏，进而使得光耦合控制性能更好。