[实用新型]一种带限位槽的单晶生长用坩埚埚托结构有效
| 申请号： | 202120497104.3 | 申请日： | 2021-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN214496545U | 公开（公告）日： | 2021-10-26 |
| 发明（设计）人： | 王培业 | 申请（专利权）人： | 宇泽半导体（云南）有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/10 | 分类号： | C30B15/10;C30B29/06 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 王美章 |
| 地址： | 675099 云南省楚雄彝族*** | 国省代码： | 云南;53 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种带限位槽的单晶生长用坩埚埚托结构，为分体式结构，包括：石墨埚托，位于整个埚托结构的最底部，石墨埚托的上表面具有一弧形凹面；石墨埚托环，设置在所述石墨埚托的上端，石墨埚托环的环内壁面为弧形面，所述弧形面与所述弧形凹面的弧度相同，所述石墨埚托环由多个石墨埚托环段单元组合而成，所述石墨埚托环的下表面设有向下延伸的第一环形凸起，所述石墨埚托的上表面设有与所述第一环形凸起相配合的环形定位槽。本实用新型提出的一种带限位槽的单晶生长用坩埚埚托结构具有防止在埚托环受到挤压时，埚托环向外发生位移，造成漏硅、延长埚托使用寿命的技术效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 限位 生长 坩埚 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宇泽半导体（云南）有限公司，未经宇泽半导体（云南）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202120497104.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：消失模粘结机
- 下一篇：一种冻干粉生产用晾晒装置
