[实用新型]一种具有屏蔽栅电极的GaN异质结纵向半导体器件有效
| 申请号： | 202120499937.3 | 申请日： | 2021-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN214848638U | 公开（公告）日： | 2021-11-23 |
| 发明（设计）人： | 李茂林;赵起越;蒲小庆;董志文 | 申请（专利权）人： | 英诺赛科（珠海）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/40;H01L29/778 |
| 代理公司： | 珠海智专专利商标代理有限公司 44262 | 代理人： | 薛飞飞;黄国豪 |
| 地址： | 519000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种具有屏蔽栅电极的GaN异质结纵向半导体器件，纵向半导体器件包括半元胞结构，半元胞结构包括GaN N型重掺杂层、GaNN型漂移区层、势垒层、漏极、源极和栅极，漏极、GaN N型重掺杂层、GaNN型漂移区层和势垒层自下而上依次层叠设置，源极设在势垒层的上方。源极的下方设有介质槽，介质槽在纵向上贯穿势垒层并向下延伸至GaN N型漂移区层内，介质槽的底壁位于GaN N型漂移区层的上表面和下表面之间，介质槽内设置有隔离介质。半元胞结构还包括屏蔽栅电极，栅极与屏蔽栅电极均位于介质槽内并沿纵向间隔布置，屏蔽栅电极位于栅极的下方，栅极和屏蔽栅电极通过隔离介质隔离。该纵向半导体器件能够减小器件开关损耗，提升器件耐压能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 屏蔽 电极 gan 异质结 纵向 半导体器件 | ||
【主权项】：
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