[实用新型]一种垂直功率MOS半导体器件有效
| 申请号： | 202120506903.2 | 申请日： | 2021-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN214315997U | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 何海洋;胡健峰;彭强;梁金 | 申请（专利权）人： | 无锡市查奥微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H05K7/14 | 分类号： | H05K7/14;H01L29/78 |
| 代理公司： | 南京北辰联和知识产权代理有限公司 32350 | 代理人： | 王俊 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市新吴区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及垂直功率MOS半导体器件技术领域，尤其为一种垂直功率MOS半导体器件，包括MOS半导体主体和壳体，所述MOS半导体主体和壳体滑动连接，所述壳体的内侧开设有第一滑槽，所述第一滑槽上滑动连接有第一滑块，所述壳体的外侧开设有第二滑槽，所述第二滑槽上滑动连接有第二滑块，所述第二滑块的一侧和第一滑块固定连接，所述第二滑块的另一侧固定连接有滑动板，所述滑动板和壳体滑动连接，所述滑动板的顶部固定连接有伸缩板。本实用新型通过第一滑块、第二滑块和防滑纹的作用，使得工作人员在需要使用垂直功率MOS半导体时，可以便捷的将垂直功率MOS半导体从壳体内移动出，从而可以对其进一步使用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 功率 mos 半导体器件 | ||
【主权项】：
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