[实用新型]一种新型女儿墙结构有效

专利信息
申请号: 202120528643.9 申请日: 2021-03-12
公开(公告)号: CN214364503U 公开(公告)日: 2021-10-08
发明(设计)人: 高超;邹宏增;梁辉;李明;郑志刚;岳汉;佘一杰;龚赞;熊爱国;薛鸣华;韦武访 申请(专利权)人: 中建三局工程设计有限公司;中建三局第三建设工程有限责任公司
主分类号: E04D13/14 分类号: E04D13/14;A01G9/00
代理公司: 武汉智嘉联合知识产权代理事务所(普通合伙) 42231 代理人: 易贤卫
地址: 430000 湖北省武汉市洪山区关*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 实用新型涉及一种新型女儿墙结构,其包括侧墙和屋面,所述侧墙固定建造在所述屋面的底部四周,所述新型女儿墙结构还包括种植沟和天沟暗沟,所述种植沟和天沟暗沟均沿着所述屋面的周边固定设置在所述屋面顶部,且所述种植沟位于所述天沟暗沟的顶部,所述天沟暗沟的底部与所述屋面的顶部空间连通;所述种植沟内填充有土层,可在所述种植沟内种植花草。本实用新型提供的一种新型女儿墙结构中,所述种植沟内填充有土层,可在所述种植沟内种植花草,以增大屋顶的绿化面积,有效利用了女儿墙空间。
搜索关键词: 一种 新型 女儿墙 结构
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