[实用新型]一种阻隔式量子点薄膜有效
申请号: | 202120552868.8 | 申请日: | 2021-03-18 |
公开(公告)号: | CN214378445U | 公开(公告)日: | 2021-10-08 |
发明(设计)人: | 邱晓华;申世芳;万冲;魏海燕 | 申请(专利权)人: | 南通惟怡新材料科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/44 |
代理公司: | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人: | 席卷 |
地址: | 226500 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种阻隔式量子点薄膜,其结构包括量子点薄膜基材层,量子点薄膜基材层的上表面和下表面分别从内向外依次分布有水氧阻隔层、光线扩散层,水氧阻隔层的厚度小于1um,光线扩散层的厚度在15um‑20um之间,量子点薄膜基材层和水氧阻隔层之间设有若干光颗粒,若干光颗粒一一均匀凸设在量子点薄膜基材层的上下表面,本实用新型通过水氧阻隔层起到阻隔外界水蒸气、氧气的作用,从而起到保护量子点薄膜基材层的作用,其次,光线扩散层起到将透过量子点薄膜基材层的光线进行扩散的作用,使得同性光线打开。 | ||
搜索关键词: | 一种 阻隔 量子 薄膜 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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