[实用新型]可控硅结构有效
| 申请号： | 202120561027.3 | 申请日： | 2021-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN214254427U | 公开（公告）日： | 2021-09-21 |
| 发明（设计）人： | 孙传帮;邵长海;左建伟;杨志伟 | 申请（专利权）人： | 吉林华微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L29/417;H01L29/423 |
| 代理公司： | 成都极刻智慧知识产权代理事务所(普通合伙) 51310 | 代理人： | 唐维虎 |
| 地址： | 132000 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供的可控硅结构，涉及功率半导体技术领域。在本申请中，可控硅结构包括半导体结构、阳极结构、门极结构和阴极结构。半导体结构包括第一半导体材料层、第二半导体材料层、第三半导体材料层和第四半导体材料层。阳极结构与第一半导体材料层电连接，门极结构与第三半导体材料层电连接，阴极结构与第四半导体材料层电连接。阳极结构、门极结构和阴极结构至少分布于半导体结构相对的两侧。基于上述设置，可以提高可控硅结构的封装便利性。 | ||
| 搜索关键词： | 可控硅 结构 | ||
【主权项】：
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