[实用新型]一种可实现MOSFET器件最大额定功率老炼测试的结构有效
| 申请号： | 202120584004.4 | 申请日： | 2021-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN214585838U | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 刘少博;王大明;苏晓山 | 申请（专利权）人： | 深圳吉华微特电子有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 深圳市中科创为专利代理有限公司 44384 | 代理人： | 冯建华;刘曰莹 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙岗区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种可实现MOSFET器件最大额定功率老炼测试的结构，包括：金属底座、设置在所述金属底座上的导电板、设置在所述金属底座上侧的固定组件；所述导电板上设置有若干导线、测试位，所述导电板的两端上均设置有一豁口；所述豁口与所述测试位相连通，所述固定组件用于将待测试的MOSFET器件固定在所述导电板的测试位上。本实用新型可快速实现贴片封装式MOSFET器件的最大额定功率的老炼测试，且测量结果误差小，精度高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 实现 mosfet 器件 最大 额定 功率 测试 结构 | ||
【主权项】：
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