[实用新型]功率二极管器件有效
| 申请号： | 202120639481.6 | 申请日： | 2021-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN215644508U | 公开（公告）日： | 2022-01-25 |
| 发明（设计）人： | 陶永洪;蔡文必;徐少东 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京超成律师事务所 11646 | 代理人： | 王雪 |
| 地址： | 361100 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种功率二极管器件，涉及半导体器件技术领域。该功率二极管器件包括衬底、设于衬底上且包括有源区和终端区的碳化硅外延层、设于有源区上的肖特基金属层、设于肖特基金属层上的正面金属层、设置于终端区上且与肖特基金属层邻接的钝化层，和覆盖钝化层和正面金属层的保护层，保护层上开设有露出正面金属层的窗口；还包括依次形成于衬底背面的欧姆金属层和背面金属层；钝化层的厚度小于或等于0.1μm，且钝化层包括覆盖终端区的第一部、覆盖正面金属层的上表面周缘的第三部，和连接于第一部和第三部之间且包覆正面金属层侧壁的第二部。该器件能够有效解决器件在经过TCT测试后，器件钝化层发生开裂而引起器件可靠性降低，甚至失效的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 二极管 器件 | ||
【主权项】：
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