[实用新型]一种防烧坏MOS管改良结构有效
| 申请号： | 202120667401.8 | 申请日： | 2021-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN214411213U | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 欧荆明 | 申请（专利权）人： | 东莞市中之电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L23/367;H01L23/48 |
| 代理公司： | 东莞市永桥知识产权代理事务所(普通合伙) 44400 | 代理人： | 姜华 |
| 地址： | 523430 广东省东莞*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种防烧坏MOS管改良结构，包括芯片、封装外壳、栅极输入引脚、漏极输出引脚、电源输出引脚，所述封装外壳的内腔并且位于所述芯片的上表面设置有降温结构，所述降温结构包括降温板块、降温管体，所述降温板块与所述芯片的上表面连接，所述降温管体的一端与所述降温板块的上表面连接，所述降温管体的上端贯穿所述封装外壳并且延伸出所述封装外壳的上表面，所述降温管体的内侧壁周向阵列设置有若干降温翅片，所述降温板块的面积大于所述芯片的面积。本实用新型的有益效果是：具有良好的散热功能，并且栅极输入端、漏极输出端、电源输出端均能调节伸出长度，提升适用度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 烧坏 mos 改良 结构 | ||
【主权项】：
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