[实用新型]在晶圆级别集成的VCSEL器件有效
| 申请号： | 202120730638.6 | 申请日： | 2021-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN215267071U | 公开（公告）日： | 2021-12-21 |
| 发明（设计）人： | 郭铭浩;王立;李念宜 | 申请（专利权）人： | 浙江睿熙科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/20;H01S5/042 |
| 代理公司： | 上海领洋专利代理事务所(普通合伙) 31292 | 代理人： | 罗晓飞 |
| 地址： | 311113 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 公开了一种在晶圆级别集成的VCSEL器件，其中，所述VCSEL器件包括：外延结构，其自下而上依次包括：衬底、N‑DBR层、有源区、限制层和P‑DBR层，其中，所述限制层形成用于限制发光孔径的限制孔；一体成型于所述外延结构上的半导体光学结构，其中，所述半导体光学结构，包括：光学调制部和包覆所述光学调制部的保护部，所述光学调制部对应于所述限制孔；以及，电连接于所述外延结构的正电极和负电极。所述VCSEL器件在晶圆级别上集成了VCSEL激光器和用于调制VCSEL激光器出射的激光的半导体光学结构。 | ||
| 搜索关键词： | 级别 集成 vcsel 器件 | ||
【主权项】：
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