[实用新型]射频馈入结构以及管式PECVD设备的电极接入结构有效
申请号: | 202120732264.1 | 申请日: | 2021-04-09 |
公开(公告)号: | CN215799887U | 公开(公告)日: | 2022-02-11 |
发明(设计)人: | 张勇;李学文;李军阳;龚文志;谭晓华;张海涛;盛亚 | 申请(专利权)人: | 深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/509 | 分类号: | C23C16/509 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 林明校 |
地址: | 518118 广东省深圳市坪山*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型公开了射频馈入结构以及管式PECVD设备的电极接入结构。其中,射频馈入结构,用于将射频电源接入炉体的真空腔内,所述炉体的炉尾端设置有电极接入口,所述射频馈入结构包括:第一电极杆,所述第一电极杆伸进所述真空腔内;第二电极杆,设置在所述真空腔的外部,所述第二电极杆和射频电源的发射端连接;第一连接部,安装到所述电极接入口,使所述第一电极杆的轴向的一端的第一端部和所述第二电极杆的轴向的一端的第二端部相互导通,并至少使所述第一端部和所述第二端部被绝缘以及被屏蔽。本实用新型的射频馈入结构,不仅能够可靠地将射频电源引入真空腔内,而且结构简单。 | ||
搜索关键词: | 射频 结构 以及 pecvd 设备 电极 接入 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的