[实用新型]一种局部正交的功率MOSFET元胞版图结构

摘要

本实用新型涉及一种局部正交的功率MOSFET元胞版图结构，属于功率半导体器件技术领域。本实用新型主要用于优化电流集中区域的元胞，减小该区域中MOSFET栅压的损耗，使得其能力更好，防止大电流下这些区域的元胞出现局部过热的情况。该版图布局的方式适用于条形元胞的功率MOSFET。相对于传统版图布局，本实用新型将大电流区域的MOSFET的走向变成正交于其余区域的MOSFET，将该区域的栅极用更短的路径连接到最近的栅极金属上，有效降低了这部分元胞上栅压的损耗，降低了器件局部过热损毁的风险。