[实用新型]基准电压产生电路和振荡器有效
| 申请号： | 202120751339.0 | 申请日： | 2021-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN214846435U | 公开（公告）日： | 2021-11-23 |
| 发明（设计）人： | 王红义;陈帅谦 | 申请（专利权）人： | 西安拓尔微电子有限责任公司 |
| 主分类号： | G05F3/20 | 分类号： | G05F3/20;G05F3/30 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 赵倩 |
| 地址： | 710000 陕西省西安市高新*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本申请提供一种基准电压产生电路和振荡器，其中，基准电压产生电路包括：级联的多个N沟道耗尽型MOS管，其中：对于任意相邻的两级N沟道耗尽型MOS管，前一级N沟道耗尽型MOS管的栅极与后一级N沟道耗尽型MOS管的源极连接，前一级N沟道耗尽型MOS管的源极与后一级N沟道耗尽型MOS管的漏极连接；第一级N沟道耗尽型MOS管的漏极用于连接电流源，第一级N沟道耗尽型MOS管的源极用于输出基准电压；最后一级N沟道耗尽型MOS管的栅极接地，最后一级N沟道耗尽型MOS管的源极通过限流电阻接地。本申请提供的技术方案，采用级联的N沟道耗尽型MOS管产生基准电压，可以有效的减小电路面积，降低电路成本。 | ||
| 搜索关键词： | 基准 电压 产生 电路 振荡器 | ||
【主权项】：
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