[实用新型]碳化硅生长装置有效
申请号: | 202120795362.X | 申请日: | 2021-04-19 |
公开(公告)号: | CN214572360U | 公开(公告)日: | 2021-11-02 |
发明(设计)人: | 汪良;张洁;王旻峰 | 申请(专利权)人: | 福建北电新材料科技有限公司 |
主分类号: | C30B23/00 | 分类号: | C30B23/00;C30B29/36 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 冯洁 |
地址: | 362200 福建省泉州*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本实用新型涉及半导体技术领域,具体而言,涉及一种碳化硅生长装置;碳化硅生长装置包括坩埚和过滤组件;过滤组件设置于坩埚内,且过滤组件将坩埚的内部划分为沿上下方向分布的第一腔体和第二腔体;其中,过滤组件包括第一孔板和铺设于第一孔板上的碳化硅颗粒层,且碳化硅颗粒层位于第二腔体内。本实用新型提供的碳化硅生长装置能够减少晶体中的碳包裹物,提高制备出的碳化硅衬底的质量。 | ||
搜索关键词: | 碳化硅 生长 装置 | ||
【主权项】:
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