[实用新型]一种用于低氮高纯碳化硅粉料合成的坩埚有效
| 申请号： | 202120836543.2 | 申请日： | 2021-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN218741883U | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | 马康夫;魏汝省;赵丽霞;李斌;张继光;张辰宇;李刚;方芃博;陈琪;许正;靳霄曦 | 申请（专利权）人： | 山西烁科晶体有限公司 |
| 主分类号： | B01J19/00 | 分类号： | B01J19/00;C01B32/984 |
| 代理公司： | 太原高欣科创专利代理事务所(普通合伙) 14109 | 代理人： | 崔雪花;冷锦超 |
| 地址： | 030006 山西省太*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种用于低氮高纯碳化硅粉料合成的坩埚，涉及碳化硅合成技术领域；具体是包括大坩埚和布置在大坩埚内的多个小坩埚，大坩埚的坩埚盖设置有多个第一贯穿孔道，所述大坩埚的坩埚壁上设置有多个第二贯穿孔道，多个小坩埚彼此相间隔，小坩埚的外周设有透气空间，所述原料粉体设置在小坩埚内；本实用新型可有效降低粉料合成过程中的氮浓度，提升粉料纯度；有效避免混合原料在粉料合成过程中逸出坩埚，提升粉料的反应效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 高纯 碳化硅 合成 坩埚 | ||
【主权项】：
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