[实用新型]紫外宽光谱无掩膜光刻成像系统以及光刻机有效
| 申请号： | 202120990785.7 | 申请日： | 2021-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN215067714U | 公开（公告）日： | 2021-12-07 |
| 发明（设计）人： | 李鹏飞;杨宇航;蔡潍;戚蓉蓉 | 申请（专利权）人： | 合肥芯碁微电子装备股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G02B13/00;G02B13/22;G02B13/14 |
| 代理公司： | 北京景闻知识产权代理有限公司 11742 | 代理人： | 么立双 |
| 地址： | 230088 安徽省合肥市高新区*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种紫外宽光谱无掩膜光刻成像系统以及光刻机，紫外宽光谱无掩膜光刻成像系统包括：第一镜头组件以及第二镜头组件，第一镜头组件的焦距为f1，第二镜头组件的焦距为f2，紫外宽光谱无掩膜光刻成像系统的焦距为f，紫外宽光谱无掩膜光刻成像系统满足关系式：0.05≤f1/f≤0.09，0.21≤f2/f≤0.41；第一透镜到第十二透镜沿光轴从物侧到像侧依次设置，且第一透镜到第十二透镜均为单透镜。根据本实用新型的紫外宽光谱无掩膜光刻成像系统，以较少数量的透镜，实现了高成像质量、大焦深和高透过率设计，不采用胶合透镜，使得光学成像系统更稳定性，不仅降低了光刻成本，而且光刻设备具有更高的运行稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 紫外 光谱 无掩膜 光刻 成像 系统 以及 | ||
【主权项】：
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