[实用新型]集成电路装置有效
| 申请号： | 202121159899.3 | 申请日： | 2021-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN215869297U | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 欧宪勋;林佳德;程晓玲 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/498 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请实施例涉及一种集成电路装置。根据本申请的一些实施例，一种用于制造集成电路装置的方法，其包括以下步骤：在基板的第一表面上以第一图案形成第一阻焊层，并在该基板的第二表面上以不同于该第一图案的第二图案形成第二阻焊层，其中该第一表面与该第二表面相对；在该第一阻焊层的远离基板的表面上以该第一图案形成第三阻焊层；其中该第一阻焊层及第三阻焊层具有第一图案面积，且该第二阻焊层具有大于该第一图案面积的第二图案面积。该制造方法及其制成的集成电路装置的优势之一在于能够通过控制集成电路装置基板的正背两面的绿漆厚度，从而有效防止集成电路装置基板的翘曲，从而降低了后续的作业难度，并大大提高了产品产量。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
