[实用新型]一种高击穿电压的GaN HEMT元件有效
| 申请号： | 202121263465.8 | 申请日： | 2021-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN214672625U | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | 李炘 | 申请（专利权）人： | 欧跃半导体（西安）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778 |
| 代理公司： | 西安科果果知识产权代理事务所(普通合伙) 61233 | 代理人： | 李英俊 |
| 地址： | 710000 陕西省西安市高新*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种高击穿电压的GaN HEMT元件，包括设置在衬底上的成核层；成核层的上方设有缓冲层，缓冲层的上方设有背部势垒层；背部势垒层上设有经刻蚀形成的背部势垒区，背部势垒区包括多个背部势垒块背部势垒区上方依次设有沟道层和势垒层；势垒层的两端均设有欧姆接触窗口，欧姆接触窗口内设有多层电极；势垒层上还设有栅极金属接触窗口，栅极金属接触窗口内设有栅极肖特基接触；多层电极和栅极肖特基接触之间设有钝化层。本实用新型通过将背部势垒区分割，形成多个背部势垒区，多个背部势垒区通过自发极化产生若干电场峰值，大大提升产品成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 击穿 电压 gan hemt 元件 | ||
【主权项】：
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