[实用新型]一种高灵敏度薄膜压力传感器芯片有效

专利信息
申请号: 202121274448.4 申请日: 2021-06-08
公开(公告)号: CN215178279U 公开(公告)日: 2021-12-14
发明(设计)人: 王立会;邓杨 申请(专利权)人: 广州市智芯禾科技有限责任公司
主分类号: G01L1/22 分类号: G01L1/22;G01L9/06
代理公司: 北京世誉鑫诚专利代理有限公司 11368 代理人: 仲伯煊
地址: 510700 广东省广州*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型公开了一种高灵敏度薄膜压力传感器芯片,包括敏感芯片,其底侧中部设有内腔,在内腔顶侧中部设有环形应力集中结构层;过渡层,布设于敏感芯片顶侧;绝缘层,布设于过渡层顶侧;电极层,布设于绝缘层两侧;下层应变电阻层,布设于绝缘层的中部,下层应变电阻层与电极层电性连接;隔离层,布设于下层应变电阻层的顶侧;上层应变电阻层,布设于隔离层的上方,且与下层应变电阻层的位置相适应;金属应变电阻连接层,分别与下层应变电阻层与上层应变电阻层电性连接;保护层,布设于上层应变电阻层上且能够完全包覆上层应变电阻层。本实用新型通过双层应变电阻的及环形应力集中结构层的设计,可以将薄膜压力传感器芯片的灵敏度提高一倍以上。
搜索关键词: 一种 灵敏度 薄膜 压力传感器 芯片
【主权项】:
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