[实用新型]一种Micro LED芯片单体器件、显示模块及显示装置

摘要

本申请提供一种Micro LED芯片单体器件、显示模块及显示装置，该单体器件包括蓝光外延片、层叠于蓝光外延片上的Micro‑LED晶粒阵列、P电极及N电极，所述P电极与所述N电极皆配置于所述Micro‑LED晶粒阵列的外侧，且所有M icro‑LED晶粒配置成共用所述P电极与所述N电极。该单体器件利用氧化物对阵列结构进行绝缘与钝化，降低了刻蚀工艺带来的侧壁损伤问题以及漏电流问题；利用高透过率的电流扩展层全覆盖P型GaN，降低P型GaN电流扩展能力差，电流积聚问题，实现特定区域内的M i cro‑LED晶粒的同步调控，并且解决了电极挡光的问题，增加了发光面积，有效提高了发光效率。