[实用新型]深紫外发光二极管有效
| 申请号： | 202121317867.1 | 申请日： | 2021-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN215118929U | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | 郑锦坚;毕京锋;高默然;范伟宏;曾家明;张成军 | 申请（专利权）人： | 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司;杭州士兰明芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/12;H01L33/06 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 刘畅 |
| 地址： | 361012 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种深紫外发光二极管，包括自下向上的衬底、模板层、应力调变层、n型半导体层、量子阱层和p型半导体层，所述应力调变层为超晶格层，所述超晶格层包括周期性交替堆叠的第一应力释放层和第二应力释放层，每个周期中的所述第一应力释放层和所述第二应力释放层的厚度之和大于10nm。本实用新型的技术方案使得应力调变层的应力调变效果得到提高，进而使得模板层与n型半导体层之间的晶格失配与热失配能够得到有效缓解，应力能够得到释放，从而使得表面裂纹得到改善。 | ||
| 搜索关键词： | 深紫 发光二极管 | ||
【主权项】：
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