[实用新型]一种高双面率的太阳能电池有效
申请号: | 202121332343.X | 申请日: | 2021-06-15 |
公开(公告)号: | CN215869402U | 公开(公告)日: | 2022-02-18 |
发明(设计)人: | 庞瑞卿;吕闯;刘海泉;杨二存;时宝;林纲正;陈刚 | 申请(专利权)人: | 天津爱旭太阳能科技有限公司;浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/054;C23C16/40;C23C16/42 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 胡枫;李素兰 |
地址: | 300403 天津市北辰区天津北辰*** | 国省代码: | 天津;12 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开了一种高双面率的太阳能电池,其特征在于,包括硅基底,依次设于硅基底正面的扩散层、M层正面氮化硅膜、N层氮氧化硅膜、正面氧化硅膜、正面电极,和依次设于所述硅基底背面的氧化铝膜、背面氧化硅膜、背面氮化硅膜和背面电极;其中,M≥3,N≥2;其中,靠近所述扩散层的正面氮化硅膜的折射率>靠近所述氮氧化硅膜的正面氮化硅膜的折射率;靠近所述正面氮化硅膜的氮氧化硅膜的折射率>靠近所述正面氧化硅膜的氮氧化硅膜的折射率。实施本实用新型,可提高双面电池的吸光效率,进而提高双面率和转换效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 双面 太阳能电池 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津爱旭太阳能科技有限公司;浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司,未经天津爱旭太阳能科技有限公司;浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202121332343.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种餐厨垃圾分离装置
- 下一篇:一种具有防撞功能的大桥灯塔
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的