[实用新型]半导体器件的并联装置有效
申请号: | 202121364008.8 | 申请日: | 2021-06-18 |
公开(公告)号: | CN215496714U | 公开(公告)日: | 2022-01-11 |
发明(设计)人: | 陈教泽;夏智;王琰;张梦杰 | 申请(专利权)人: | 深圳市禾望电气股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H02M1/00 |
代理公司: | 广东广和律师事务所 44298 | 代理人: | 王峰 |
地址: | 518055 广东省深圳市福田区沙头街道天安社区*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请公开一种半导体器件的并联装置,包括多个半导体器件、正直流母线以及负直流母线;每一个半导体器件的正直流端与所述正直流母线连接,每一个半导体器件的负直流端与所述负直流母线连接,每一个半导体器件的正直流端与负直流端之间连接有第一吸收电路;相邻的半导体器件的正直流端与负直流端之间连接有第二吸收电路。本申请通过在相邻的半导体器件的正直流端与负直流端之间连接吸收电路,能够有效增加吸收电路数量;在空间紧张的情况下,可以通过弱化单个吸收电路的能力,减小单个吸收电路的体积;从而最大效率利用空间,提升半导体器件过压保护效果。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 并联 装置 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的