[实用新型]微沟槽IGBT有效
| 申请号： | 202121414363.1 | 申请日： | 2021-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN215731728U | 公开（公告）日： | 2022-02-01 |
| 发明（设计）人： | 俞义长;赵善麒 | 申请（专利权）人： | 江苏宏微科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人： | 陈红桥 |
| 地址： | 213022 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供一种微沟槽IGBT，所述微沟槽IGBT包括：半导体衬底和IGBT元胞，IGBT元胞包括：多个真栅极单元，相邻真栅极单元之间设有数量不等的假沟槽单元和/或假栅极单元，且假沟槽单元和/或假栅极单元对称设置；相连沟槽之间中间通过注入推结形成PW导电层覆盖到沟槽底部，且在真栅极单元两侧通过注入推结在PW导电层下部形成JFET层。本实用新型将PW导电层覆盖到沟槽底部同时在真栅极单元之两侧引入JFET，使得PW局部维持原来的深度且不改变沟道长度，可以在优化IGBT静态特性的同时通过虚拟栅极降低米勒电容，增大输入电容和米勒电容的比例，进一步增强IGBT开通关断过程可控性。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 igbt | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏宏微科技股份有限公司，未经江苏宏微科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202121414363.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：护齿清洗器
- 下一篇：一种新能源汽车充电口
- 同类专利
- 专利分类
