[实用新型]一种适用于PVT法提高晶体质量的石墨坩埚有效
| 申请号： | 202121469329.4 | 申请日： | 2021-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN217351617U | 公开（公告）日： | 2022-09-02 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 哈尔滨市伟晨专利代理事务所(普通合伙) 23209 | 代理人： | 韩立岩 |
| 地址： | 150000 黑龙江省哈尔滨市松北区智谷二街3*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 一种适用于PVT法提高晶体质量的石墨坩埚，属于晶体制备领域。本实用新型解决了现有用于物理气相运输法的长晶装置在长晶过程中容易对坩埚内部造成严重的侵蚀，缩短坩埚的使用寿命，且造成制备出的碳化硅晶体质量差的问题。本实用新型的坩埚内设有原料放置区，原料放置在原料放置区内，第一石墨隔层和第二石墨隔层设置在坩埚内，第一石墨隔层布置在第二石墨隔层的下方，第一石墨隔层和第二石墨隔层布置在原料放置区的上方，第一石墨隔层和第二石墨隔层上分别加工有多个通孔，第二石墨隔层上的通孔直径大于第一石墨隔层的通孔直径，籽晶设置在坩埚顶部内壁上。通过本实用新型的石墨坩埚有效提升了坩埚的使用寿命和晶体的生长质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 适用于 pvt 提高 晶体 质量 石墨 坩埚 | ||
【主权项】：
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