[实用新型]一种双工作模式碳化硅功率器件结构有效
| 申请号： | 202121622505.3 | 申请日： | 2021-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN215578578U | 公开（公告）日： | 2022-01-18 |
| 发明（设计）人： | 汤艺;沈华 | 申请（专利权）人： | 嘉兴斯达半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/16 | 分类号： | H01L29/16;H01L29/739;H01L29/78;H01L27/085;H01L21/335 |
| 代理公司： | 杭州九洲专利事务所有限公司 33101 | 代理人： | 陈琦;陈继亮 |
| 地址： | 314006 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种双工作模式碳化硅功率器件结构，该功率器件结构包括Bipolar部分及MOSFET部分，其具体包括N型衬底及设置在该N型衬底底部的集电极金属层，N型衬底的顶部设置有P‑base区，P‑base区上通过沟槽设置有若干栅极氧化层及竖直布置在对应栅极氧化层内的沟槽栅极；P‑base区内设置有若干N+注入区和P+注入区，P‑base区的顶部两侧对应于N+注入区和P+注入区的位置上设置有可浮动基级和发射极，且所述可浮动基级和发射极之间通过ILD外绝缘层进行隔离，该功率器件结构的制作包括生长外延层、生长场氧化层等步骤，工艺流程和普通碳化硅MOSFET的流程兼容，不需要增加新步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双工 模式 碳化硅 功率 器件 结构 | ||
【主权项】：
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